X-bit報道，內(nèi)存開發(fā)商Rambus公司，第一次在IDF的展臺上展示了他們開發(fā)的XDR DRAM內(nèi)存系統(tǒng)。雖然目前尚不可知XDR DRAM是否會再次像RDRAM那樣，但是這次展示至少證明了Rambus所擁有的成熟技術(shù)力。

XDR新穎的拓?fù)湎到y(tǒng)允許異態(tài)數(shù)據(jù)點對點互連，以此來增加內(nèi)存的運(yùn)行頻率。系統(tǒng)將能夠同時支持1至36根內(nèi)存。其容量從256MB到8GB之間。XDR DRAM將能夠很好得滿足計算機(jī)同時對高帶寬和高容量的要求。



單通道XDIMM內(nèi)存系統(tǒng)



雙通道XDIMM內(nèi)存系統(tǒng)

單根XDR 32位內(nèi)存運(yùn)行在3.20GHz頻率下，能夠提供12.8GB/s的帶寬。在如今已經(jīng)被廣泛運(yùn)用的雙通道模式下，其能夠提供兩倍帶寬。在將來，單根32位內(nèi)存運(yùn)行在6.40GHz頻率下可以提供高達(dá)25.6GB/s的帶寬。



XDIMM內(nèi)存模塊

2003年末，東芝已經(jīng)推出了512MB 3.20GHz的XDR DRAM樣品，并且計劃將于2005或者2006年推出實際成品。Sony的PlayStation3也計劃將使用XDR DRAM。



Rambus GDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)

XDIMM使用6或8層PCB板，適合現(xiàn)今的DIMM插槽，封裝尺寸位5.25"x1.375"。XDIMM并沒有采用RIMM的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，雖然它也是采用了232-pin接口。XDIMM在接口的特定位置有一個凹槽，這樣能確保內(nèi)存被正確的插入插槽。Rambus還說XDIMM的拓?fù)浠ミB技術(shù)要求主板至少使用4層PCB板。



RaSer 互連裝置

此次展示中，除了雙通道和單通道的XDIMM系統(tǒng)之外，Rambus還展示了GDDR3內(nèi)存控制器和RaSer PCI Express互連裝置。